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Si3N4光波导基片制造工艺用ICPPECVD技术制造无需退火和cmp实现高Q值和低损耗的用于异质集成的氮化硅光波导
Si3N4光波导基片制造工艺用ICPPECVD技术制造无需退火和cmp实现高Q值和低损耗的用于异质集成的氮化硅光波导
时间:2024-06-13 20:36:39 编辑:顺达铝单板资讯网 访问:891
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